InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟

• 作者: 何红波 周继承
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 量子力学隧穿模拟 砷化镓 I-V
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.26

摘要

本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。