1GHz微波功率MOSFET的研究

• 作者: 刘英坤 王长河 祁斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波 垂直双扩散 功率MOS场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.007

摘要

分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VD MOS器件.验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能.测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确,工艺过程控制较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁斌		1	0	0.0	0.0
2	刘英坤		2	7	1.0	2.0
3	王长河		1	0	0.0	0.0