薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用

• 作者: 刘忠立 王启元 聂纪平 郁元桓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 外延生长 固相外延
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 521-528
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.001

摘要

亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100-200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求.实验证实;采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进.该工艺包括:硅离子自注入和热退火.X射线双晶衍射和器件电学测量表明:多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高.固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
2	王启元	中国科学院半导体研究所	10	77	4.0	8.0
3	郁元桓	中国科学院半导体研究所	5	14	3.0	3.0
4	聂纪平	中国科学院半导体研究所	2	7	2.0	2.0