深亚微米MOS器件的物理,结构与工艺

• 作者: 刘艳红 赵宇
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 MOS器件 物理 结构 工艺 集成电路
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN432

摘要

本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。