400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管

• 作者: 何玉樟 刘英坤 吴坚 周晓黎 夏雷 张大立 王占利 郎秀兰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高频大功率 Mo栅工艺 VDMOSFET
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.02.008

摘要

采用Mo栅工艺技术降低栅串联电阻,通过优化工艺参数,全离子注入工艺,研制出了在400MHz下共源推挽结构连续波输出300W的高性能VDMOSFET,其漏极效率大于50%,增益大于9dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	兰州大学物理系	4	6	2.0	2.0
2	王占利		1	0	0.0	0.0
3	何玉樟		1	0	0.0	0.0
4	郎秀兰		1	0	0.0	0.0
5	张大立		1	0	0.0	0.0
6	夏雷		1	0	0.0	0.0
7	吴坚		2	8	1.0	2.0
8	周晓黎		1	0	0.0	0.0