Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

• 作者: 夏钟福 张冶文 张晓青 潘永刚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 地球科学
• 关键词: 驻极体 双层薄膜 电荷储存 电荷输运
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 476-478
• 页数: 3页
• 分类号: TM930.4|TN603.5|N39
• 字数: 2847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.05.010

摘要

非晶态二氧化硅(SiO2)具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器.但是,热氧化SiO2驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响.利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅/二氧化硅(SiN4/SiO2)双层膜,可使其内应力相互补偿.本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性.实验结果表明,Si3N4/SiO2双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性,Si3N4/SiO2双层膜系统的电荷寿命比SiO2驻极体约高两个数量级.常温恒压电晕充电,电荷被储存在Si3N4/SiO2双层膜的近自由面附近,随着充电温度的提高,平均电荷重心向驻极体内部迁移.但是在低于300℃的充电温度下,平均电荷重心不能达到Si3N4和SiO2的界面处.电荷输运受缓慢再捕获效应控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张冶文	同济大学波耳固体物理研究所	77	666	15.0	23.0
2	夏钟福	同济大学波耳固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
3	张晓青	同济大学波耳固体物理研究所	30	93	5.0	7.0
4	潘永刚	同济大学波耳固体物理研究所	5	48	3.0	5.0