利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜

• 作者: 刘彦松 林成鲁 王连卫 黄继颇
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN ZnO 缓冲层 PLD
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 322-325
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.05.013

摘要

采用脉冲激光淀积(PLD)技术,利用ZnO作为缓冲层,在Si(100)衬底上生长出AlN薄膜.X-射线衍射图谱表明,该AlN薄膜具有c轴取向特性.X-光电子能谱测试表明,要获得接近理想化学配比的AlN薄膜,需要高真空淀积气氛或合适的N2气氛;同时还表明,AlN薄膜表面容易形成保护性氧化层.剖面透射电子显微镜显微照相显示该AlN/ZnO/Si(100)多层结构清晰可辨,层与层之间的界面非常平整.原子力显微镜分析表明,采用ZnO缓冲层可改善AlN薄膜的表面粗糙度(RMS＝1nm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彦松	中国科学院上海冶金研究所	2	109	2.0	2.0
2	王连卫	中国科学院上海冶金研究所	11	156	4.0	11.0
3	黄继颇	中国科学院上海冶金研究所	5	146	4.0	5.0
4	林成鲁	中国科学院上海冶金研究所	44	595	15.0	23.0