用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究

• 作者: 徐富春 林秀华 江炳熙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫代乙酰胺 钝化 GaP 表面性质
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 115-119
• 页数: 5页
• 分类号: O472.1
• 字数: 2907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.007

摘要

借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响.实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga-S、P-S键,并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移,Ga的硫化物有较好的稳定性.