聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究

• 作者: 倪智平 张明生 毛海平 章吉良 郭晓芸 钱建国
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 聚酰亚胺 微机电系统
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 离子刻蚀技术
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7|TP271+.4
• 字数: 2883字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了不同的反应离子刻蚀条件(氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等)下所获得的不同刻蚀效果.当以O2/CHF3作为工作气体时,在一定的工艺条件下实现了高深宽比(深度23μm,深宽比＞7)、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果;同时还观察到随着CHF3浓度的增加,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律.利用CF2钝化膜保护模型可很好解释这一现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章吉良	上海交通大学信息存储研究中心	3	29	2.0	3.0
2	毛海平	上海交通大学信息存储研究中心	5	25	3.0	5.0
3	郭晓芸	上海交通大学信息存储研究中心	3	27	3.0	3.0
4	钱建国	上海交通大学信息存储研究中心	1	14	1.0	1.0
5	张明生	上海交通大学信息存储研究中心	4	36	3.0	4.0
6	倪智平	上海交通大学信息存储研究中心	1	14	1.0	1.0