聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

• 作者: 宗祥福 常旭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 淀积速率 模型 聚焦离子束
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 404-408
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.017

摘要

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上，提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响，指出在一定的离子束电流和反应气体流量下，影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合，说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宗祥福	复旦大学国家微分析中心	39	315	11.0	16.0
2	常旭	复旦大学国家微分析中心	1	0	0.0	0.0