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摘要:
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失,在低温端TSC谱出现一些新的峰。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 热激电流 光淬灭 砷化镓
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TN304.23
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王良 2 3 1.0 1.0
2 郑庆瑜 2 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
热激电流
光淬灭
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
总被引数(次)
1404
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