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摘要:
从磁参数(饱和磁化强度,磁晶各向异性场)温度稳定性出发,对六角铁氧体RAM的温度稳定性进行了讨论;通过对M、W型六角铁氧体在温度t=18~100℃,频率f=8~12GHz时吸收率R(R~f)的温度稳定性和材料起始磁导率μ随温度的变化曲线(μ~t)的测试,得到单轴六角铁氧体材料R~f的温度稳定性优于平面六角铁氧体材料,并且和材料的μ~t变化规律吻合较好的结果.
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文献信息
篇名 磁参数对六角铁氧体RAM温度稳定性影响
来源期刊 电子科技大学学报 学科 工学
关键词 六角铁氧体 吸收特性 磁导率 温度稳定性 磁化强度 磁晶各向异性
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目 学术论文与技术报告
研究方向 页码范围 61-64
页数 4页 分类号 TN277
字数 2055字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-0548.2000.01.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓龙江 电子科技大学信息材料工程学院 60 754 16.0 25.0
2 何山 13 198 7.0 13.0
3 熊克敏 2 39 2.0 2.0
4 梁迪飞 电子科技大学信息材料工程学院 25 134 7.0 10.0
5 谢建良 电子科技大学信息材料工程学院 25 311 11.0 17.0
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研究主题发展历程
节点文献
六角铁氧体
吸收特性
磁导率
温度稳定性
磁化强度
磁晶各向异性
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1001-0548
51-1207/T
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62-34
1959
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