Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

• 作者: 卞钟洪 宋桂兰 尤洪鹏 庾炳容 曾小青 朴哲熙 权一亿 洪广言 甘树才 裴贤淑 金昌弘
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05 真空紫外光谱 基质吸收带
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.013

摘要

利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体.结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b.真空紫外光谱表明:随着Gd3+含量的增加,在192nm附近,出现了Gd3+的激发峰,且此峰的强度随着Gd3+含量的增加而增大;同时位于150～185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200～300nm之间的Eu的电荷迁移带的强度却随着Gd3+含量的增加而降低.