BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究

• 作者: 侯士敏 刘惟敏 刘盛 吴锦雷 张琦锋 薛增泉 邵庆益
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属氧化物半导体薄膜 光子协助隧道效应 电致吸收 夫兰茨-凯尔迪什效应
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2089-2093
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.10.037

摘要

通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试,实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明,BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜,价带电子隧穿带间位垒而在带隙中出现的概率增加,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琦锋	北京大学电子学系	28	186	9.0	12.0
2	薛增泉	北京大学电子学系	66	466	11.0	19.0
3	吴锦雷	北京大学电子学系	48	341	12.0	16.0
4	刘惟敏	北京大学电子学系	40	283	8.0	15.0
5	侯士敏	北京大学电子学系	42	265	8.0	15.0
6	刘盛	北京大学电子学系	6	44	3.0	6.0
7	邵庆益	北京大学电子学系	5	39	3.0	5.0