SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

• 作者: P.L.F.Hemment 卢殿通
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 化学
• 关键词: SIMOX薄膜 红外光谱 非破坏性测量
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 993-998
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|O657.33
• 字数: 3740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.010

摘要

报道了SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法，详细地研究了SIMOx材料的红外吸收光谱特性，求出了特征峰对应的吸收系数.提出利用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法，并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度.SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是SOI电路设计时最重要的两个参数，提供的非破坏性测量方法，测量误差小于5％.在SIMOX材料开发利用、批量生产中，用此方法可及时方便地检测SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度，随时调整注入能量和剂量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢殿通	北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心	7	15	2.0	3.0