电化学制备CuxS薄膜特性的研究

• 作者: 曹猛 郑建邦
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学沉积 硫化铜薄膜 光电性
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2

摘要

采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜主要居为Ｃｕ２Ｓ，具有良好的半导体性质，且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过ＸＲＤ、ＳＥＤ等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑建邦	西安交通大学电信学院	10	86	6.0	9.0
2	曹猛	西北工业大学应用物理系	1	0	0.0	0.0