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高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
作者:
兀革
石寅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高精度
单向
模拟开关
CMOS实现
摘要:
提出并设计了-种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关,该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析与电路模拟,证明了这种模拟开关具有高速可控性,传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关.
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文献信息
篇名
高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
高精度
单向
模拟开关
CMOS实现
年,卷(期)
2000,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1214-1219
页数
6页
分类号
TN79+2
字数
3986字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
石寅
中国科学院半导体研究所
43
279
8.0
14.0
2
兀革
中国科学院半导体研究所
1
6
1.0
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节点文献
高精度
单向
模拟开关
CMOS实现
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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