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摘要:
提出并设计了-种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关,该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析与电路模拟,证明了这种模拟开关具有高速可控性,传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关.
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文献信息
篇名 高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 高精度 单向 模拟开关 CMOS实现
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1214-1219
页数 6页 分类号 TN79+2
字数 3986字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 石寅 中国科学院半导体研究所 43 279 8.0 14.0
2 兀革 中国科学院半导体研究所 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高精度
单向
模拟开关
CMOS实现
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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