GaAs抛光片腐蚀过程初步研究

• 作者: 郝建民
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光片 腐蚀 砷化镓
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2

摘要

采用Ｘ射线衍射、Ｘ射线双晶衍射和Ｘ射线荧光三种手段对经Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１６：１：１和３：１：１腐蚀液，在不腐蚀条件下得到的ＧａＡｓ片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物以及发射二次Ｘ射线情况测量，并初步分析了这些数据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建民		5	45	2.0	5.0