O2反应离子深刻蚀PMMA

• 作者: 丁桂甫 俞爱斌 倪智萍 李昌敏 杨春生 毛海平 郭晓芸
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 高深宽比 微结构PMMA
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 离子刻蚀技术
• 页码范围: 39-43,34
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2791字
• 语种: 中文

摘要

高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一.利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形,方法简单:它不象LIGA技术那样,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板,对光刘胶的要求也不是特别高,利用这种技术深刘蚀PMMA膜,以Ni作掩模,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ni掩模图形化,然后利用O2RIE技术刻蚀PMMA,可以得到深度达100μm,深宽比大于10的微结构,图形表面平整,侧壁光滑垂直.在刘蚀过程中,氧气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀结果影响较大.