InGaN混溶隙的计算

• 作者: 张国义 童玉珍 陈英勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 混溶隙 InGaN 应力
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 646-651
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.004

摘要

采用正规溶液模型和价带力(Valence-Porce-Field)模型,引入晶格失配应力对系统(InGaN/GaN)自由能的影响,考虑相互作用系数和弹性常数对组分的依赖,计算了InGaN/GaN体系的混溶隙.结果表明,应力的存在使得InGaN的混溶隙向富InN方向移动并产生不对称,体系发生相分离的最高临界温度也降低到1000K左右.同时,深入计算了有效弹性常数对混溶隙的影响.并进一步把该计算推广到InxGa1-xN/InyGa1-yN体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理系及人工微结构介观物理国家重点实验室	49	229	9.0	13.0
2	童玉珍	北京大学物理系及人工微结构介观物理国家重点实验室	16	63	5.0	7.0
3	陈英勇	北京大学物理系及人工微结构介观物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0