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在6H—SiC上用(GaN/AlN缓冲层生长AlN的张力应变
在6H—SiC上用(GaN/AlN缓冲层生长AlN的张力应变
作者:
毕叔和
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氮化铝
氮化镓
碳化硅
缓冲层
生长
张力应变
摘要:
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在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力
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GaN
插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN
GaN
MOCVD
AlN
缓冲层
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篇名
在6H—SiC上用(GaN/AlN缓冲层生长AlN的张力应变
来源期刊
电子材料快报
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工学
关键词
氮化铝
氮化镓
碳化硅
缓冲层
生长
张力应变
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TN304.054
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