用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

• 作者: 侯德胜 冯伯儒 孙方 张锦
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 准分子光刻 相移掩模 图形分辨力
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 微光学
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2000.05.007

摘要

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的KrF准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张锦	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	26	204	8.0	13.0
2	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0
3	侯德胜	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	12	150	4.0	12.0
4	孙方	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	8	32	4.0	5.0