脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究

• 作者: 刘峰 张建泉 强希文
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 强激光 半导体材料 辐照效应 损伤机理
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 52-58
• 页数: 7页
• 分类号: TN3
• 字数: 4559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2000.01.010

摘要

研究了强激光辐照半导体材料InSb时的热输运、自由载流子输运和光子输运过程,探讨了激光对半导体材料的损伤机理.为半导体材料的辐射效应和抗辐射加固技术提供了一个理论证据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰		42	366	10.0	18.0
2	强希文		31	349	11.0	18.0
3	张建泉		12	214	8.0	12.0