低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

• 作者: 吴争鸣 李文军 李文漪 武正簧 蔡炳初 赵君芙 赵小林
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 二氧化钛 薄膜 制备 结构特性
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 63-69,62
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2820字
• 语种: 中文

摘要

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压MOCVD在单晶Si基片上制备出了TiO2薄膜.研究了基片温度和氧气流量对TiO2薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对TiO2薄膜的结构的影响.采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2薄膜的结构进行分析.实验表明:基片温度在110℃～250℃时制备的TiO2薄膜是非晶态的,在350℃～500℃时制备的TiO2薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构,当基片温度超过600℃时开始生成金红石.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵君芙	太原理工大学化学工程与技术学院	21	131	5.0	10.0
2	蔡炳初	上海交通大学信息存储研究中心	49	769	15.0	26.0
3	赵小林	上海交通大学信息存储研究中心	56	549	13.0	20.0
4	武正簧	太原理工大学化学工程与技术学院	30	359	12.0	18.0
5	李文军	上海交通大学信息存储研究中心	34	231	10.0	14.0
6	李文漪	上海交通大学材料科学与工程学院	6	115	5.0	6.0
7	吴争鸣	太原理工大学化学工程与技术学院	3	67	3.0	3.0