离子辐照单晶Si损伤效应的研究

• 作者: 侯明东 刘昌龙 朱智勇 王志光 金运范
• 来源期刊: 原子核物理评论
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子辐照 单晶Si 损伤效应 电子能损
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 交叉学科
• 页码范围: 140-145
• 页数: 6页
• 分类号: O571.33
• 字数: 5792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.004

摘要

回顾了低能离子注入单晶Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法,介绍了快重离子辐照单晶Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状,并对该领域的研究作了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金运范	中国科学院近代物理研究所	38	183	9.0	12.0
2	朱智勇	中国科学院近代物理研究所	39	194	9.0	11.0
3	王志光	中国科学院近代物理研究所	39	183	8.0	11.0
4	侯明东	中国科学院近代物理研究所	41	177	7.0	12.0
5	刘昌龙	中国科学院近代物理研究所	12	44	3.0	6.0