用氧化多孔硅方法制备厚的Si02膜及其微观分析

• 作者: 余金中 杨沁清 欧海燕 王启明 王红杰 胡雄伟 雷红兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 阳极氧化法 厚二氧化硅 硅基二氧化硅光波导器件
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 260-263
• 页数: 4页
• 字数: 2624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.010

摘要

用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO2成本低，省时.氧化硅膜的厚度，表面粗糙度和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到：氧化的多孔硅的膜厚已达21.2μm；表面粗糙度在1nm以内，Si和O的组分比为1:1.906.这些结果表明，用氧化多孔硅方法制备的厚SiO2膜满足低损耗光波导器件的要求.