FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线

• 作者: 李征帆 袁正宇 邹瑉珋
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高速集成电路 时域有限差分(FDTD)法 有耗吸收边界条件
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.02.005

摘要

本文首次利用时域有限差分(FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性.文中提出了有耗吸收边界条件,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式.在FDTD分析的基础上,得到传输线各种参数的频变特性,为芯片内电路模拟提供了可靠的参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李征帆	上海交通大学电子工程系	83	533	13.0	18.0
2	袁正宇	上海交通大学电子工程系	8	35	3.0	5.0
3	邹瑉珋	上海交通大学电子工程系	2	14	1.0	2.0