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固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究
兼容性
调制掺杂GaAs
InP/InP外延材料
高电子迁移率
分子束外延
固体磷源
InP衬底上电容和电阻的建模
射频
高电阻率
寄生效应
Ag/InP复合材料的制备、表征及其性能
Ag/InP
荧光光谱
光催化性能
复合材料
InP量子点的掺杂及其光学性能
磷化铟
量子点
掺杂
光学性能
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 InP本征调制掺杂
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 磷化铟 本征调制掺杂
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15-16
页数 2页 分类号 TN304.23
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研究主题发展历程
节点文献
Ⅲ-Ⅴ族
化合物半导体
磷化铟
本征调制掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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576
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