通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究

• 作者: 王志国 王铁山 高东风
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金硅面垒探测器Si(Au) 带电粒子鉴别 D-D反应 D-T反应
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TL814
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2000.01.005

摘要

重点研讨通过改变探测器偏压,进而改变探测器的PN结(有效探测灵敏区)厚度,实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用.实验测量了3MeV质子和6.05MeV α粒子在金硅面垒探测器Si(Au)中的能损与探测器偏压关系曲线.同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子束轰击氘钛(TiDX)靶发射的带电粒子能谱.在很强的本底情况下通过调节探测器偏压(灵敏区厚度)实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志国	中国科学院近代物理研究所	27	58	5.0	5.0
2	王铁山	中国科学院近代物理研究所	6	4	1.0	1.0
3	高东风	中国科学院近代物理研究所	1	1	1.0	1.0