四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱

• 作者: 吕毅军 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ化合物 有序结构
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 603-607
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2000.05.005

摘要

对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa 1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了PLE及极化PL谱的测量.进一步探讨有序结构AlGaInP中在55～84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源.PLE谱的测量表明子能带的存在,其能级的差异正好处在高温区激活能内,是引起温度反常现象的原因.通过从17 K到112 K的极化PL谱测量并未发现价带中Г4和Г5,6子带的分裂.推测在AlGaInP中,由晶格有序的超晶格效应引起晶体导带从L点到布里渊区的Г点的折叠效应.在温度大于55 K时,导带的载流子获得足够的能量从Г带跃迁到L带,而导致了PL谱的温度反常行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉琳	厦门大学物理学系	22	66	4.0	7.0
2	吕毅军	厦门大学物理学系	26	77	4.0	8.0
3	郑健生	厦门大学物理学系	17	28	4.0	4.0