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杂质和缺陷对非掺半绝缘LECGaAs霍耳测量的影响
杂质和缺陷对非掺半绝缘LECGaAs霍耳测量的影响
作者:
付浚
杨瑞霞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非掺杂半绝缘LEC
霍耳测量
砷化镓
杂质
缺陷
摘要:
研究了非掺杂半绝缘LEC GaAs霍耳参数温度关系,研究结果表明,杂 缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响,存在电势波动的情况下,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
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文献信息
篇名
杂质和缺陷对非掺半绝缘LECGaAs霍耳测量的影响
来源期刊
半导体杂志
学科
工学
关键词
非掺杂半绝缘LEC
霍耳测量
砷化镓
杂质
缺陷
年,卷(期)
2000,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
5-11
页数
7页
分类号
TN304.23
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨瑞霞
180
759
13.0
18.0
2
付浚
7
10
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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2000(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
非掺杂半绝缘LEC
霍耳测量
砷化镓
杂质
缺陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
主办单位:
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
出版周期:
季刊
ISSN:
1005-3077
CN:
12-1134/TN
开本:
16开
出版地:
天津市河西区陈塘庄岩峰路
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
总被引数(次)
1404
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