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摘要:
研究了非掺杂半绝缘LEC GaAs霍耳参数温度关系,研究结果表明,杂 缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响,存在电势波动的情况下,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
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文献信息
篇名 杂质和缺陷对非掺半绝缘LECGaAs霍耳测量的影响
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 非掺杂半绝缘LEC 霍耳测量 砷化镓 杂质 缺陷
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-11
页数 7页 分类号 TN304.23
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 180 759 13.0 18.0
2 付浚 7 10 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
非掺杂半绝缘LEC
霍耳测量
砷化镓
杂质
缺陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
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1404
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