国产功率铁氧体特性分析及应用

• 作者: 杨晓伟 邱振清 马玉龙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率铁氧体 特性参数 内偏转CRT 功耗P。
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 156-161
• 页数: 6页
• 分类号: TM277
• 字数: 3801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.02.014

摘要

本文在介绍国产功率铁氧体特性的基础上重点探讨了它们在内偏转组件中的扩展应用。通过分析功率铁氧体R2KBD的特性以及对它进行的相关测试实验，进一步认识了功率铁氧体在内偏转组件中的应用效果，并提出内偏转组件在高频应用时的研究发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓伟	东南大学电子工程系	27	98	6.0	8.0
2	马玉龙	东南大学电子工程系	6	51	3.0	6.0
3	邱振清	东南大学电子工程系	1	3	1.0	1.0