SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

• 作者: 向思清 张彤 徐宝琨 王立军 索辉 阮圣平
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶薄膜 场效应晶体管 气敏元件
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1879字
• 语种: 中文

摘要

利用溶胶-凝胶法合成出纳米晶SnO2薄膜,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2薄膜栅FET式气敏元件,实现了制备纳米晶材料的溶胶-凝胶工艺与硅平面工艺的兼容.对器件的测试结果表明,纳米晶SnO2薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作,元件的漏电流在乙醇气体中减小,掺杂镧以后,漏电流变化幅度增大.