机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备

• 作者: 卢景霄 李维强 郜小勇
• 来源期刊: 郑州大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 机械刻槽 深埋电极 太阳电池 分凝系数 掩蔽层 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6841.2000.04.010

摘要

结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果，给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法．实验结果表明，1 000℃氧化温度下采用干-湿-干氧化法，经过70分钟可生长350nm～450nm厚的二氧化硅层．这不仅大大缩短了高温氧化时间，降低了生产成本，而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院	52	301	10.0	14.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院	100	570	12.0	17.0
3	李维强	郑州大学物理工程学院	9	82	4.0	9.0