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摘要:
采用硅工艺设计、制作了4×288 TDI CCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了4×288 TDI CCD信号读出电路的设计及制作,并给出了测试结果。
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文献信息
篇名 4×288 TDI CCD信号读出电路
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 电荷耦合器件 延时积分 信号读出电路 HgCdTe
年,卷(期) 2000,(z1) 所属期刊栏目 研究论文与技术报告
研究方向 页码范围 56-58
页数 4页 分类号 TN386.5|TN215
字数 2423字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李仁豪 24 60 5.0 6.0
2 张坤 12 64 6.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
电荷耦合器件
延时积分
信号读出电路
HgCdTe
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22
总被引数(次)
22967
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