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半导体金刚石膜的磁阻效应
半导体金刚石膜的磁阻效应
作者:
廖克俊
王万录
王必本
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
金刚石薄膜
磁阻效应
CVD
摘要:
研究了在硅上P型异质外延金刚石膜的磁阻效应.实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应,并与磁阻器件的结构有关.在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在5T磁场下约为0.85,而长条形结构只有0.40.
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文献信息
篇名
半导体金刚石膜的磁阻效应
来源期刊
微细加工技术
学科
工学
关键词
金刚石薄膜
磁阻效应
CVD
年,卷(期)
2000,(1)
所属期刊栏目
薄膜技术
研究方向
页码范围
75-78
页数
4页
分类号
TN304.055
字数
1722字
语种
中文
DOI
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1
王万录
重庆大学应用物理系
109
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16.0
22.0
2
廖克俊
重庆大学应用物理系
66
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王必本
重庆大学应用物理系
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研究主题发展历程
节点文献
金刚石薄膜
磁阻效应
CVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第48研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1003-8213
CN:
43-1140/TN
开本:
大16开
出版地:
湖南省长沙市
邮发代号:
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
总被引数(次)
4940
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