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摘要:
研究了在硅上P型异质外延金刚石膜的磁阻效应.实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应,并与磁阻器件的结构有关.在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在5T磁场下约为0.85,而长条形结构只有0.40.
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文献信息
篇名 半导体金刚石膜的磁阻效应
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 金刚石薄膜 磁阻效应 CVD
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目 薄膜技术
研究方向 页码范围 75-78
页数 4页 分类号 TN304.055
字数 1722字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王万录 重庆大学应用物理系 109 849 16.0 22.0
2 廖克俊 重庆大学应用物理系 66 513 12.0 19.0
3 王必本 重庆大学应用物理系 15 91 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
金刚石薄膜
磁阻效应
CVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
总被引数(次)
4940
论文1v1指导