Ga2O3薄膜的光致发光及激光烧蚀产物的分布

• 作者: 唐永新 杨新菊 秦启宗
• 来源期刊: 化学物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 薄膜 脉冲激光沉积 Ga2O3
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3249字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0068.2000.01.005

摘要

采用脉冲激光沉积技术在氧气氛中制备了Ga2O3薄膜。X射线衍射表明薄膜属于β单斜晶系，薄膜的颗粒在纳米量级；原子力显微镜显示随着氧气压强的增加，薄膜颗粒增大。测定了薄膜的光致发光，发现沉积时氧气压强的增加可以提高 纯Ga2O3薄膜的发光强度，且峰位红移。Ga2O3靶物质中掺杂少量的CeO2后所得到的薄膜，其发光强度可以明显地增加。此外，还利用发光光谱技术研究了由激光 烧蚀所产生的羽状物中Ga原子或离子的氧化反应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦启宗	复旦大学激光化学研究所	29	260	10.0	15.0
2	唐永新	复旦大学激光化学研究所	2	1	1.0	1.0
3	杨新菊	复旦大学激光化学研究所	3	4	2.0	2.0