GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱

• 作者: 代作晓 李国华 赵明山 陆书龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多量子阱 GaAs/AlGaAs 差分反射光谱
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1099-1102
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.011

摘要

介绍了一种新型的空间调制光谱技术差分反射(DR)光谱技术.利用振动光束差分反射测试系统,获得了GaAs/AlGaAs多量子阱材料的DR谱,初步分析了DR信号的产生机制.通过与材料的PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析,论证了DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性,并从实验角度证明了GaAs/AlGaAs多量子阱材料的DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征.