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摘要:
用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿<111>方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向.Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有:生长条纹、核心和位错等.晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核.位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理.采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错.
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文献信息
篇名 Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Yb∶YAG晶体 生长缺陷 同步辐射形貌相 应力双折射 位错走向
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 399-403
页数 5页 分类号 O77
字数 2840字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 殷之文 中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所 69 1195 20.0 33.0
2 田玉莲 中国科学院北京高能物理所国家同步辐射实验室 43 364 10.0 18.0
3 杨培志 中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所 24 350 10.0 18.0
4 邓佩珍 中国科学院上海光学精密机械研究所 88 747 14.0 22.0
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Yb∶YAG晶体
生长缺陷
同步辐射形貌相
应力双折射
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研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
论文1v1指导