非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光

• 作者: 孙甲明 范希武 钟国柱
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 电致发光 Si量子点
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.006

摘要

设计并用磁控溅射方法制备了非晶Si/SiO2超晶格结构, 以高纯多晶Si为靶材, 当以Ar+O2为溅射气氛时, 得到SiO2膜, 仅以Ar为气氛时, 得到Si膜.重复地开和关O2气, 便交替地得到SiO2和Si膜.衬底在靶前往返平移, 改变平移的速度或者改变溅射的功率, 可以控制膜的厚度.通过透射电镜的照片可以看出SiO2和Si膜具有均匀的周期结构, 用低角X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度.透射光谱表明, 光学吸收边随Si层厚度的减小向短波方向移动;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸.利用双绝缘层的交流电致发光器件结构, 首次获得非晶Si/SiO2超晶格的蓝绿色电致发光, 在发射光谱中存在几个分立的发光谱带, 随Si层厚度的减小, 短波发光谱带的相对强度增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范希武	中国科学院激发态物理开放研究实验室	23	77	5.0	8.0
5	钟国柱	中国科学院激发态物理开放研究实验室	5	15	3.0	3.0
9	孙甲明	中国科学院激发态物理开放研究实验室	2	14	2.0	2.0