阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响

• 作者: 丁邦建 王维彪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极氧化 场发射 多孔硅冷阴极
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 273-277
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.006

摘要

研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等对多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	29	91	6.0	7.0
2	丁邦建		3	9	2.0	3.0