PtSi的价电子结构

• 作者: 李雪 殷景华 赵连城 郑馥
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PtSi 价电子结构 导电性
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 643-646
• 页数: 4页
• 分类号: O481|O482
• 字数: 1386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.016

摘要

利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,PtSi中价电子的能谱向高结合能方向移动,Pt的5d电子是化合物中重要的成键电子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城		107	1153	16.0	29.0
2	殷景华		74	301	9.0	12.0
4	李雪		27	52	3.0	6.0
5	郑馥		5	49	3.0	5.0