MH-Ni电池记忆效应的研究

• 作者: 张鉴清 曹楚南 王建明 谢德明
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 工学
• 关键词: MH-Ni电池 记忆效应 放电深度(DOD) 锌
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报 研究简报
• 页码范围: 478-481
• 页数: 4页
• 分类号: TM912.2
• 字数: 2003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2000.04.017

摘要

放电深度(DOD)、放电速率、循环次数对MH-Ni电池的记忆效应影响很大.经过几次全充放循环可以消除记忆效应.记忆效应的存在与Zn无关.电池在低DOD循环过程中,其放电电位、放电容量一开始下降很快,然后逐渐趋于某一值,并且放电电流越小,相应的最高充电电压越低.若放电电流增加,在随后的第一周充放电过程中最高充电电压迅速增加、放电容量显著小于稳定值.最后探讨了导致记忆效应的原因,并给出了若干消除或减弱记忆效应的设想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鉴清	浙江大学化学系	175	3677	35.0	52.0
2	曹楚南	浙江大学化学系	103	2605	32.0	48.0
3	谢德明	浙江大学化学系	13	294	7.0	13.0
4	王建明	浙江大学化学系	59	999	18.0	29.0