用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计

• 作者: 吴瑞生 张永明 李澄 汪晓莲 王玉 陈宏芳
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs半导体探测器 电荷灵敏
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 105-107,123
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2000.02.007

摘要

介绍了一种用于GaAs半导体探测器,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计.设计性能指标达到:电荷灵敏度2×1012 V/C,等效噪声电荷＜100(电子-空穴),上升时间＜10 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张永明	中国科学技术大学近代物理系	89	898	16.0	26.0
2	王玉	中国科学技术大学近代物理系	24	77	6.0	8.0
3	陈宏芳	中国科学技术大学近代物理系	38	99	5.0	7.0
4	汪晓莲	中国科学技术大学近代物理系	22	67	5.0	6.0
5	李澄	中国科学技术大学近代物理系	39	127	6.0	8.0
6	吴瑞生	中国科学技术大学近代物理系	21	107	6.0	9.0