高电压半导体起爆器

• 作者: Terre.,J 叶欣
• 来源期刊: 火工情报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电压半导体起爆器 HVSCI
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TJ45

摘要

制造了一种新的高电压半导体起爆器（HVSCI），并在陆军研究实验室进行了测试。作为结构设计、生产制造项目的一部分，对HVSCI的概念进行了调研，并用500V的击穿电压来起爆非起爆药或猛炸药的方式，对其进行了射频（RF）安全半导体起爆器（SCI）试验。用一个双面抛光的硅膜构成了一个背对背（back-to-back)扩散型二极管装置，其击穿电压为300V。选用300V击穿电压水平是为了进行“概念证明”实验，以便将其发火结果直接与以前专为海军保护PHALANX近程武器系统（CIWS）炮弹而制造的、较低电压结构产品的发火结果相比较。初期300V HVSCI装置已经在试验中，以便判定它们是否能可靠起爆二级炸药如PETN或HNS。类似于这种装置的、有较代正向击穿电压（约15V）的SCI，目前正处于鉴定阶段，它可用于海军PHALANX CIW 20mm的炮弹上；于此同时还研制了一种M167底火。如果海军的实验能够按计划进行，那么在RF有可能引起炮弹安全问题的环境中，M167底火很可能取代RF－敏感M52底火。