Si3N4和Si3N4／Sio2驻极体薄膜的化学表面修正

• 作者: 夏钟福 张晓青 潘永刚
• 来源期刊: 同济大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 化学表面修正 Si3N4 Si3N4/SiO2 驻极体薄膜 电荷储存稳定性
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 564-567
• 页数: 4页
• 分类号: TM930.4|TN603.5
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-374X.2000.05.014

摘要

采用补偿法对六甲基二硅胺烷(hexamethyedisilane，HMDS)和二氯二甲基硅烷(dichlorodimeth siliane，DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅／二氧化硅(Si3N4／SiO2)薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究．实验结果表明，经过化学表面修正后，驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高；在低于200℃时，HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当；DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏钟福	同济大学波耳固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
2	张晓青	同济大学波耳固体物理研究所	30	93	5.0	7.0
3	潘永刚	同济大学波耳固体物理研究所	5	48	3.0	5.0