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摘要:
提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺.通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层.利用磁增强反应离子刻蚀设备,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径1μm,深度1μm的SiO2绝缘层圆孔.利用电子束双源蒸发设备,蒸发Al和Mo薄膜,得到Mo的微尖阵列,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA.最后得到了常规条件下可测量的场发射.
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文献信息
篇名 分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 Spindt型FEA 横向电阻层 光刻 电子束蒸发
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目 电子束技术
研究方向 页码范围 13-18
页数 6页 分类号 TN305
字数 2687字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李德杰 清华大学电子工程系 34 152 8.0 10.0
2 姚保纶 清华大学电子工程系 7 18 3.0 4.0
3 王炜 清华大学电子工程系 15 55 5.0 7.0
4 张金驰 清华大学电子工程系 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
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节点文献
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1968(1)
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1994(1)
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1998(1)
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2000(0)
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
Spindt型FEA
横向电阻层
光刻
电子束蒸发
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
总被引数(次)
4940
论文1v1指导