多孔硅层湿法腐蚀现象的研究

• 作者: 古屋一夫 周卫 福田芳雄
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 傅里叶变换红外光谱 扫描电子显微镜 湿法腐蚀 纳米晶
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 7-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.05.004

摘要

阳极氧化法制备的多孔硅层分别经1%HF、1%NH3/H2O2和0.05%NaOH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀,并用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对其变化进行了研究.腐蚀后多孔硅的表面形貌出现明显的刻蚀现象.红外吸收光谱表明, 在用1%NH3/H2O2溶液腐蚀时, 多孔硅层中Si-O键和Si-H键的强度增加, H-O键的强度下降; 用1%HF溶液和0.05%NaOH溶液的腐蚀结果正好相反.0.05%NaOH溶液对多孔硅层的腐蚀现象类似于强碱性溶液对单晶硅腐蚀表现出的各向异性, 对多孔硅层厚度的腐蚀速度比1%HF溶液的高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周卫	清华大学核能技术设计研究院	10	64	4.0	7.0
2	福田芳雄		1	16	1.0	1.0
3	古屋一夫		1	16	1.0	1.0