球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察

• 作者: 叶恒强 吴玉琨 杨晓云 黄震威
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 球磨 高分辨电镜 扩散 非晶晶化 局域自蔓延
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: TG115.21
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.07.003

摘要

在室温条件下,球磨Si,C混合粉末合成纳米尺寸SiC.采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程.高分辨像表明,在球磨过程中首先形成非晶C(a-C)、非晶Si(a-Si)以及纳米晶Si(c-Si),为合成SiC提供了适宜条件.SiC的合成主要是通过C原子向a-Si及c-Si的扩散.对于前者,形成非晶a-Si(C),然后机械力诱使非晶a-Si(C)晶化;对于后者,C原子直接取代Si原子形成SiC,具有取向关系(111)siC∥(111)si.在一些区域内,还发生局域自蔓延反应,形成稍大尺寸的SiC晶粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶恒强	中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室	56	447	13.0	19.0
2	杨晓云	中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室	6	39	2.0	6.0
3	黄震威	中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室	1	31	1.0	1.0
4	吴玉琨	中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室	3	32	1.0	3.0