MOSFET开态热载流子效应可靠性

• 作者: 穆甫臣 薛青
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 热载流子效应 场效应晶体管 MOSFET
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 51-59
• 页数: 9页
• 分类号: TN386.1

摘要

综述了近年来ＭＯＳＦＥＴ的热载流子效应和可靠性的问题。总结了几种热载流子，并在此基础上详细讨论了热载流子注入（ＨＣＩ）引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为ＭＯＳＦＥＴ热载流子效应可靠性研究奠定了基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	穆甫臣	北京大学微电子所	7	14	2.0	3.0
2	薛青	北京大学微电子所	1	0	0.0	0.0